海威華芯成立于2010年，位于成都市雙流區(qū)，是國(guó)內(nèi)較早提供6吋砷化鎵和6吋氮化鎵純晶圓制造（Foundry）服務(wù)的芯片制造企業(yè)。海威華芯投資21億元，于2015年在中國(guó)建成了6吋砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體集成電路芯片軍民兩用商業(yè)化生產(chǎn)線。

公司規(guī)劃用地225畝，擁有成熟的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)加工設(shè)備1200余臺(tái)套，均為量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，性能穩(wěn)定、生產(chǎn)效率高、加工精度高。海威華芯建立了完整的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，聚集多名國(guó)際知名咨詢專家，國(guó)際大廠的生產(chǎn)制造人才，國(guó)內(nèi)外知名院校的博士、博士后，人才梯隊(duì)完整。

海威華芯是面向國(guó)內(nèi)外提供6吋砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體集成電路晶圓制造（Foundry）的芯片制造企業(yè)，其"6吋GaAs/GaN生產(chǎn)線"是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不可或缺的重要環(huán)節(jié)，已達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。目前，公司在化合物半導(dǎo)體制造領(lǐng)域已取得較為突出的成果，成為國(guó)內(nèi)知名的化合物半導(dǎo)體制造企業(yè)之一。

公司主要制程產(chǎn)品包括：6吋砷化鎵0.15μm、 0.25μm pHEMT制程，6吋GaN 0.15um、0.25um 、0.5um制程，SiC SBD制程，SiC MOSFET制程，光電VCSEL、LD、PD芯片制程等，能夠滿足客戶在射頻、電力電子、光通訊、激光3D感知等芯片領(lǐng)域的流片服務(wù)需求。